| 专利号： |
201110048031.0 |
| 申请日： |
2011/3/1 |
| 授权公告日： |
2012/11/21 |
| 专利权人： |
大连理工大学 |
| 发明人： |
全燮;束韫;孙红;陈硕;赵慧敏;张耀斌 |
摘要：
本发明属于冶金法提纯多晶硅领域。一种真空感应熔炼去除硅粉中磷及金属杂质的方法，首先，在高真空状态下，利用感应加热方式熔炼硅粉，去除多晶硅中的磷杂质，然后进行拉锭，利用定向凝固技术将硅粉中的金属杂质去除。本发明方法简单，同时应用真空感应熔炼和定向凝固技术来去除多晶硅中的磷及金属杂质，实现了硅粉的熔炼，除杂效果良好，去除效率高，有效地利用了感应线圈加热温度高的特点，方法简单易行，集成了除磷和除金属的双重效果，产量大，适合大规模生产工业生产，提纯效果稳定。
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