| 专利号： |
200610048073.3 |
| 申请日： |
2006/10/19 |
| 授权公告日： |
2009/4/1 |
| 专利权人： |
大连理工大学 |
| 发明人： |
全燮;王华;赵慧敏;陈硕 |
摘要：
纳米技术领域中的一种具有纳米带阵列结构的氧化钨材料及其制备方法,特征:氧化钨纳米材料呈现出高度有序的带状纳米结构,单个氧化钨纳米带长度为0.5-5ΜM,宽度为100-400NM,厚度为10-50NM;氧化钨纳米带平行并垂直于金属钨基体方向直接生成。制备步骤:以金属钨丝或钨片为反应基体,基体两端分别连接加热电源的正负极,将金属钨基体置于密闭反应室中;抽真空至3000～5000PA时,打开加热电源,控制基体温度在500～1100℃间,反应5～30MIN后关闭加热电源;保持真空度不变自然冷却至室温。优点:氧化钨材料与基体结合牢同;并呈现高度有序的纳米带状阵列结构;阵列比表面积大,纳米尺寸效应显着;制备简捷,无需基体前处理和外源物参与反应,其过程一步完成。
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