| 专利号： |
201210104895.4 |
| 申请日： |
2012/4/11 |
| 授权公告日： |
2013/11/6 |
| 专利权人： |
大连理工大学 |
| 发明人： |
张振宇;霍艳霞;张念民;郭东明 |
摘要：
一种II-VI族软脆晶体超精密加工样品的定点原子成像方法，属于II-VI族软脆晶体超精密加工及透射电镜样品定点原子成像技术领域。其特征是采用II-VI族软脆晶体超精密加工样品作为透射电镜制备目标，超精密加工图案贯穿样品表面宽度。透射电镜样品制备时第一面和第二面结束时分别采用0.5μm和1μm的抛光薄膜。离子减薄时采用液氮冷却，低角度及低能量轰击的方法进行离子减薄。定点成像时双倾台β的角度为±22°之间。定点成像的对象是定点位置与胶连接完好的碎片或定点减薄位置。定点原子成像的曝光时间≤0.15秒。本发明的效果和益处是实现了II-VI族软脆晶体超精密加工样品的定点高清晰原子成像效果。
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