专利号: |
200810013509.4 |
申请日: |
2008/9/28 |
授权公告日: |
2010/3/24 |
专利权人: |
大连理工大学 |
发明人: |
张振宇;郭东明;高航;康仁科;金洙吉 |
摘要:
一种软脆功能晶体磨削加工方法,属于软脆功能晶体加工技术领域,特别涉及半导体与光电晶体软脆功能晶体的超精密磨削加工方法。其特征是采用微粉金刚石分段变速进给和软磨料砂轮化学机械磨削方法加工软脆功能晶体。在粗磨阶段和精磨阶段砂轮的进给速度先大后小,磨削液为去离子水。然后采用带有孔隙的软磨料砂轮进行化学机械磨削,磨料为高分子聚合物或者防水树脂,填充料为NaHCO3或精萘发泡剂。采用化学机械磨削液作为发应液和冷却液,磨削液主要成分为乳酸、醋酸、硝酸和去离子水,其pH值为2-4。本发明的效果和益处是磨削加工效率高,加工成本低,表面精度高。不会在工件表面产生微划痕、游离磨料嵌入、塑性变形、残余应力等表面/亚表面损伤。
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