| 专利号： |
201010300432.6 |
| 申请日： |
2010/1/19 |
| 授权公告日： |
2013/1/30 |
| 专利权人： |
大连理工大学 |
| 发明人： |
牟宗信;贾莉;牟晓东;王春;刘升光 |
摘要：
本发明公开了一种交叉场放电共振耦合的控制方法，属于电工工程技术领域。采用在交叉场放电离子源中由电场和磁场互相正交形成封闭或开放的交叉场空间的电场、磁场结构，磁控靶表面电场和磁场相互正交构成磁阱结构；磁控靶和与之平行的偏压基片之间或者开放端之间形成了另一种轴向势阱结构，静电波动在这两种势阱结构中分别形成驻波共振和相互耦合共振，与电源特性相匹配形成耦合共振放电；通过调整放电空间中的电极结构、形式和参数匹配能够形成单一的、两个或两个以上势阱结构，并分别发生静电驻波和发生耦合共振，本发明的有益效果是系统结构简单、放电效率高。
|
