| 专利号： |
201210419065.0 |
| 申请日： |
2012/10/27 |
| 授权公告日： |
2014/8/27 |
| 专利权人： |
大连理工大学 |
| 发明人： |
李廷举；王同敏；曹志强；卢一平；接金川；孙金玲；王海伟 |
摘要：
本发明属于多晶硅的技术领域，涉及一种电磁分离铝硅合金熔液制备多晶硅的方法与装置。其特征是将熔化的Al-Si合金在液相线上保温20分钟后，浇注到预热的坩埚内，用牵引装置将坩埚快速牵引到磁场发生器中，利用磁场分离技术获得外围富集大量初生硅的铸锭；采用机械加工的方法收集Al-Si合金铸锭外围的初生硅，并且保留中间的Al-Si合金，作为原材料继续与硅熔化后提纯。熔化和保温Al-Si合金时，可以在大气压下进行，当Si的比重高于34%时，适宜在真空条件下进行。制备直径120毫米、高度300毫米的晶体硅壳仅需要25分钟。分离出的初生硅经酸洗后，可达到较高纯度，应用前景广阔。
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