专利成果

专利成果

一种超短脉冲激光烧蚀氮化硅的模拟计算方法(专利号:2013100863181)
2016-05-06 08:56  

专利号:

2013100863181

申请日:

2013/03/18

授权公告日:

2015/04/29

专利权人:

大连理工大学

发明人:

吴东江;姚龙元;马广义;牛方勇;郭东明

摘要

    本发明公布了一种超短脉冲激光烧蚀氮化硅的模拟计算方法,利用Matlab对加工参数进行模拟计算分析,主要步骤包括:建立超短脉冲激光烧蚀氮化硅的烧蚀模型,对计算参数进行初始化;定义等离子体密度边界条件,并通过模型计算在不同模拟参数下的烧蚀阈值、深度和体积;基于计算结果和残留高度模型,对激光烧蚀残留高度进行分析评价,并给出指导参数。本发明可以避免通过反复实验获得加工参数的过程,利用模拟结果可对加工参数进行优化,从而可缩短产品周期,降低加工成本,提高生产效率,因此对超短脉冲激光烧蚀氮化硅的实际加工过程具有重要指导价值。

 

关闭窗口

大连理工大学技术研究开发院
地址: 辽宁.大连.凌工路2号[116024]  电话:0411-84707673  Email:kfy@dlut.edu.cn
版权所有:大连理工大学技术研究开发院
专利检索
soopat