| 专利号： |
201110150248.2 |
| 申请日： |
2011/6/3 |
| 授权公告日： |
2012/11/7 |
| 专利权人： |
大连理工大学 |
| 发明人： |
王金渠;陈赞;杨建华;殷德宏;杨丽君;鲁金明;张艳 |
摘要：
一种用于乙酸脱水ZSM-5沸石膜的合成方法，采用两步晶种法在大孔载体上直接引入超薄晶种层，采用F-作为无机结构导向剂、调控晶化母液Si/Al比，用二次生长法制备出了5～6μm厚的ZSM-5沸石膜；尤其制备出Si/Al为10的ZSM-5沸石膜，突破了在不使用有机模板剂的情况下只能在晶化母液Si/Al比大于20的条件下成膜的限制，大大提高了膜的亲水性能，且有效地避免了富铝表面和晶间间隙等不耐酸的微结构的生成。使膜具有了优异的乙酸脱水分离选择性和耐酸性能突破了沸石膜有机酸脱水所面临的低通量、低选择性及低耐酸性的技术瓶颈，为其工业化应用奠定了坚实基础。
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